特許
J-GLOBAL ID：200903071405658828

プラズマプロセス装置

発明者：
新倉 ちさと

新倉 ちさと について

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本山 慎一

本山 慎一 について

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松田 彰久

松田 彰久 について


出願人/特許権者：
独立行政法人物質・材料研究機構

独立行政法人物質・材料研究機構 について

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サムコ株式会社

サムコ株式会社 について

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学校法人東京理科大学

学校法人東京理科大学 について


代理人 (1件)： 西澤 利夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-031760
公開番号（公開出願番号）：特開2007-214296
出願日： 2006年02月08日
公開日（公表日）： 2007年08月23日
要約：
【課題】アモルファスシリコン薄膜の光劣化と関連する拡散長の短い核種をより一層排除することができ、また、大面積製膜も可能なプラズマプロセス装置を提供する。 【解決手段】反応容器1と、その容器内に反応ガスを導入するガス導入管6と、容器外へ排ガスを排出するガス排気管4と、容器内に収容した第一電極2及び第二電極3からなる放電用平行電極と、前記電極に電力を供給する電源9とを有してなるプラズマプロセス装置において、第一電極2には、ガス導入管6に連通するガス導入用穴11及び前記ガス排気管6に連通する排ガス用穴12の双方を設ける。好ましくは、第一電極2の第二電極3に対向する表面に、多数の凹部を所定パターンで設ける。【選択図】 図1。
請求項（抜粋）：
反応容器と、その容器内に反応ガスを導入するガス導入管と、容器外へ排ガスを排出するガス排気管と、容器内に収容した第一電極及び第二電極からなる放電用平行電極と、前記電極に電力を供給する電源とを有してなるプラズマプロセス装置において、前記第一電極には、前記ガス導入管に連通するガス導入用穴及び前記ガス排気管に連通する排ガス用穴の双方が設けてあることを特徴とするプラズマプロセス装置。
IPC (4件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/509 ,  C23C 16/455 ,  H01L 31/04
FI (4件)：
H01L21/205 ,  C23C16/509 ,  C23C16/455 ,  H01L31/04 V
Fターム (37件)：
4K030AA06 ,  4K030BA29 ,  4K030BA30 ,  4K030BB04 ,  4K030BB05 ,  4K030BB11 ,  4K030BB12 ,  4K030BB14 ,  4K030CA04 ,  4K030CA06 ,  4K030CA12 ,  4K030EA04 ,  4K030EA05 ,  4K030FA01 ,  4K030KA17 ,  4K030LA01 ,  4K030LA02 ,  4K030LA04 ,  4K030LA11 ,  4K030LA16 ,  5F045AA08 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045BB12 ,  5F045DP03 ,  5F045EC01 ,  5F045EC07 ,  5F045EE20 ,  5F045EF05 ,  5F045EF08 ,  5F045EF20 ,  5F045EH14 ,  5F051AA05 ,  5F051BA11 ,  5F051CA07 ,  5F051CA15
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (7件)
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