特許
J-GLOBAL ID：201003065102910347

電子線、X線またはEUV用ポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法

発明者：
山下 克宏

山下 克宏 について


出願人/特許権者：
富士フイルム株式会社

富士フイルム株式会社 について


代理人 (2件)： 高松 猛 ,  矢澤 清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-255520
公開番号（公開出願番号）：特開2010-061087
出願日： 2008年09月30日
公開日（公表日）： 2010年03月18日
要約：
【課題】ベーク条件の変動による性能変動の小さいポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】(A)酸の作用により分解してアルカリ水溶液に対する溶解速度が増大する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、(C)120°Cで15分間保持した際の揮発量が10%以下である、含窒素塩基性基又は4級アンモニウム基を有する化合物、および、(D)有機溶剤を含有する組成物であって、該組成物中の全固形分の濃度が、1.0〜4.5質量%であり、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物の総量が、該組成物中の全固形分に対して少なくとも10質量%であることを特徴とする電子線、X線またはEUV用ポジ型レジスト組成物。及びそれを用いたパターン形成方法。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
(A)酸の作用により分解してアルカリ水溶液に対する溶解速度が増大する樹脂、 (B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、
IPC (3件)：
G03F 7/039 ,  G03F 7/004 ,  H01L 21/027
FI (3件)：
G03F7/039 601 ,  G03F7/004 501 ,  H01L21/30 502R
Fターム (16件)：
2H025AA04 ,  2H025AA11 ,  2H025AB16 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BF15 ,  2H025BG00 ,  2H025BJ04 ,  2H025CC04 ,  2H025CC20 ,  2H025FA10 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (6件)
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