特許
J-GLOBAL ID：201003065427991653

レジスト組成物及びパターン形成方法

発明者：
渡邉 聡

渡邉 聡 について

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田中 啓順

田中 啓順 について

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渡辺 武

渡辺 武 について

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金生 剛

金生 剛 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-130001
公開番号（公開出願番号）：特開2010-164933
出願日： 2009年05月29日
公開日（公表日）： 2010年07月29日
要約：
【課題】 微細加工のためのフォトリソグラフィー、特にKrFレーザー、ArFレーザー、F2レーザー、極短紫外線、電子線、X線などを露光源として用いたリソグラフィーにおいて、高解像性と共に、基板界面においても良好なパターン形状を与える化学増幅レジスト材料等のレジスト材料、及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】 少なくともカルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素に共有結合する水素を含有しないアミン化合物又はアミンオキシド化合物(アミン及びアミンオキシドの窒素原子が芳香環の環構造に含まれるものを除く)の1種又は2種以上を含有するものである化学増幅型レジスト組成物。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
少なくとも、カルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素に共有結合する水素を含有しないアミン化合物又はアミンオキシド化合物(アミン及びアミンオキシドの窒素原子が芳香環の環構造に含まれるものを除く)の1種又は2種以上を含有するものであることを特徴とする化学増幅型レジスト組成物。
IPC (5件)：
G03F 7/004 ,  G03F 7/038 ,  G03F 7/039 ,  C08F 212/14 ,  H01L 21/027
FI (5件)：
G03F7/004 501 ,  G03F7/038 601 ,  G03F7/039 601 ,  C08F212/14 ,  H01L21/30 502R
Fターム (36件)：
2H125AE03P ,  2H125AE22P ,  2H125AF17P ,  2H125AF38P ,  2H125AJ04Y ,  2H125AJ48Y ,  2H125AJ92Y ,  2H125AM13P ,  2H125AM16P ,  2H125AM42P ,  2H125AN02P ,  2H125AN39P ,  2H125AN57P ,  2H125AN62P ,  2H125AN65P ,  2H125AN67P ,  2H125AN82P ,  2H125AN86P ,  2H125BA26P ,  2H125BA32P ,  2H125CA08 ,  2H125CA12 ,  2H125CB16 ,  2H125CC01 ,  2H125CC03 ,  2H125CC15 ,  2H125CC17 ,  4J100AB07P ,  4J100AB07Q ,  4J100AB08Q ,  4J100AR10R ,  4J100BA02Q ,  4J100BA03P ,  4J100BA05Q ,  4J100CA05 ,  4J100JA38
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (10件)
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