レジスト材料及びパターン形成方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成 , 石川武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-285753
公開番号（公開出願番号）：特開2008-102383
出願日： 2006年10月20日
公開日（公表日）： 2008年05月01日
要約：

【解決手段】(A)塩基性成分としてアミンオキサイド構造を有する化合物の1種又は2種以上を含有することを特徴とするレジスト材料。【効果】本発明は、塩基性成分としてアミンオキサイド構造を有する化合物をレジスト材料に配合することにより、高解像性を有し、現像後のラインパターンでのパターン形状不良によるパターン倒れが大幅に改善され、パターン形状由来の優れたエッチング耐性を示す。特に、超LSI製造用、フォトマスク製造用の微細パターン形成材料として好適なアミンオキサイド構造を有する化合物、及びこれを用いたレジスト材料、特に化学増幅ポジ型レジスト材料を与えることが可能である。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

(A)塩基性成分としてアミンオキサイド構造を有する化合物の1種又は2種以上を含有することを特徴とするレジスト材料。

IPC (3件)：

G03F 7/004 , G03F 7/039 , H01L 21/027

FI (3件)：

G03F7/004 501 , G03F7/039 601 , H01L21/30 502R

Fターム (13件)：

2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC05 , 2H025AC06 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE07 , 2H025BF02 , 2H025BG00 , 2H025CC20 , 2H025FA17

引用特許：

出願人引用 (27件)

特公平2-27660号公報
パターン形成用材料
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-347042 出願人：ヘキストジャパン株式会社
ポジ型放射感応性混合物
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-025751 出願人：ヘキストジャパン株式会社

全件表示

審査官引用 (4件)

感光性組成物、感光材料、レリーフパターンの製造法及びポリイミドパターンの製造法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-132285 出願人：日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社
窒素含有エポキシ(メタ)アクリレート及びその製造方法、並びに組成物及びその硬化物
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-398623 出願人：日本ユピカ株式会社
感放射線性樹脂組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-080950 出願人：三菱化学株式会社

全件表示

前のページに戻る