特許
J-GLOBAL ID：201003077102816241

半導体ウエハ測定装置

発明者：
芦田 洋一

芦田 洋一 について

, 
山田 明

山田 明 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (2件)： 矢作 和行 ,  野々部 泰平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-166452
公開番号（公開出願番号）：特開2010-010306
出願日： 2008年06月25日
公開日（公表日）： 2010年01月14日
要約：
【課題】高電圧を印加しても絶縁破壊が起き難く、高耐圧の半導体装置についても信頼性の高い試験が可能な半導体ウエハ測定装置を提供する。【解決手段】半導体ウエハ7に一対のプローブ6a,6bを接触させて電圧を印加し、該ウエハ7に形成されている半導体装置を試験する半導体ウエハ測定装置100であって、ウエハ7に接触する一対のプローブ6a,6bの先端間に、絶縁部材8aを、該ウエハ7に接触するようにして介在させてなる半導体ウエハ測定装置100とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体ウエハに一対のプローブを接触させて電圧を印加し、該ウエハに形成されている半導体装置を試験する半導体ウエハ測定装置であって、 前記ウエハに接触する一対のプローブの先端間に、絶縁部材を、該ウエハに接触するようにして介在させることを特徴とする半導体ウエハ測定装置。
IPC (2件)：
H01L 21/66 ,  G01R 1/067
FI (2件)：
H01L21/66 B ,  G01R1/067 H
Fターム (12件)：
2G011AA02 ,  2G011AA17 ,  2G011AB06 ,  2G011AC31 ,  2G011AE03 ,  4M106AA01 ,  4M106AA02 ,  4M106BA01 ,  4M106CA14 ,  4M106DD10 ,  4M106DD22 ,  4M106DD30
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • プローブカード
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-095647   出願人：富士電機株式会社
審査官引用 (7件)
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