特許
J-GLOBAL ID：201003077425018883

磁気ランダムアクセスメモリの製造方法及び混載メモリの製造方法

発明者：
梶山 健

梶山 健 について

, 
浅尾 吉昭

浅尾 吉昭 について

, 
天野 実

天野 実 について

, 
高橋 茂樹

高橋 茂樹 について

, 
岩山 昌由

岩山 昌由 について

, 
杉浦 邦晃

杉浦 邦晃 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (21件)： 鈴江 武彦 ,  蔵田 昌俊 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  福原 淑弘 ,  峰 隆司 ,  白根 俊郎 ,  村松 貞男 ,  野河 信久 ,  幸長 保次郎 ,  河野 直樹 ,  砂川 克 ,  風間 鉄也 ,  勝村 紘 ,  河井 将次 ,  佐藤 立志 ,  岡田 貴志 ,  堀内 美保子 ,  竹内 将訓 ,  市原 卓三 ,  山下 元
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-024102
公開番号（公開出願番号）：特開2010-182824
出願日： 2009年02月04日
公開日（公表日）： 2010年08月19日
要約：
【課題】パターンの合わせずれを抑制する。【解決手段】磁気ランダムアクセスメモリの製造方法は、下部電極9上に磁気抵抗効果素子の磁性材10を形成する工程と、磁性材上に上部電極14を形成する工程と、上部電極上にナノインプリントリソグラフィ用のレジストを塗布する工程と、磁気抵抗効果素子及び下部電極の第1のパターンが作り込まれた第1のテンプレート20又は磁気抵抗効果素子及び上部電極の第2のパターンが作り込まれた第2のテンプレートをレジストに接触させて硬化させることで、レジストに第1のパターン又は第2のパターンを形成する工程と、第1のパターンを有するレジストを用いて磁性材及び下部電極を一括でパターニングする、又は、第2のパターンを有するレジストを用いて磁性材及び上部電極を一括でパターニングする工程とを具備する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
下部電極上に磁気抵抗効果素子の磁性材を形成する工程と、 前記磁性材上に上部電極を形成する工程と、 前記上部電極上にナノインプリントリソグラフィ用のレジストを塗布する工程と、 前記磁気抵抗効果素子及び前記下部電極の第1のパターンが作り込まれた第1のテンプレート又は前記磁気抵抗効果素子及び前記上部電極の第2のパターンが作り込まれた第2のテンプレートを前記レジストに接触させて硬化させることで、前記レジストに前記第1のパターン又は前記第2のパターンを形成する工程と、 前記第1のパターンを有する前記レジストを用いて前記磁性材及び前記下部電極を一括でパターニングする、又は、前記第2のパターンを有する前記レジストを用いて前記磁性材及び前記上部電極を一括でパターニングする工程と を具備することを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/12
FI (3件)：
H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/12
Fターム (21件)：
4M119AA11 ,  4M119AA20 ,  4M119BB01 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119DD55 ,  4M119FF05 ,  4M119FF15 ,  4M119JJ13 ,  4M119JJ15 ,  4M119JJ16 ,  4M119KK04 ,  5F092AA11 ,  5F092AA15 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092BC04 ,  5F092BC43 ,  5F092CA07 ,  5F092CA08 ,  5F092CA09
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (9件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM