特許
J-GLOBAL ID：201003080817090532
半導体力学量検出センサ及びそれを用いた制御装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
ポレール特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-302639
公開番号（公開出願番号）：特開2010-127763
出願日： 2008年11月27日
公開日（公表日）： 2010年06月10日
要約：
【課題】経時変化が少ない高信頼性の半導体力学量検出センサを提供する。【解決手段】力学量の印加により変位する可動電極を静電力によって初期変位させることで、印加される力学量の大きさや方向を検出している。そのため、従来の圧縮応力膜によって初期変位を与える方法に比べ、経時変化が少ない高信頼性の半導体力学量検出センサを提供することができる。【選択図】図10
請求項（抜粋）：
力学量の印加により変位する可動電極と、該可動電極と対向し静電容量を形成する固定電極を備え、前記力学量が印加されたときに前記可動電極と前記固定電極間の静電容量の変化に基づいて前記力学量を検出する半導体力学量検出センサであって、
前記可動電極と前記固定電極は、基板上の実質的に同じ高さの共通の導体層に形成されており、
静電力を用いて、前記可動電極と前記固定電極の前記基板からの距離を予めずらした初期オフセット状態としていることを特徴とする半導体力学量検出センサ。
IPC (4件)：
G01P 15/125
, G01C 19/56
, H01L 29/84
, G01P 9/04
G01P15/125 Z
, G01C19/56
, H01L29/84 Z
, G01P9/04
2F105AA02
, 2F105BB14
, 2F105BB15
, 2F105CC04
, 2F105CD03
, 2F105CD05
, 2F105CD11
, 2F105CD13
, 4M112AA02
, 4M112BA07
, 4M112CA21
, 4M112CA24
, 4M112CA26
, 4M112CA31
, 4M112CA33
, 4M112DA02
, 4M112DA18
, 4M112EA02
, 4M112EA04
, 4M112EA06
, 4M112EA11
, 4M112EA13
, 4M112FA06
出願人引用 (1件)
審査官引用 (10件)
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