特許
J-GLOBAL ID：200903067807150076

半導体装置の製造方法及びレーザ加工装置

発明者：
竹野 祥瑞

竹野 祥瑞 について

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中島 優

中島 優 について

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大森 暢彦

大森 暢彦 について

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松村 民雄

松村 民雄 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (3件)： 吉田 茂明 ,  吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-239447
公開番号（公開出願番号）：特開2007-059431
出願日： 2005年08月22日
公開日（公表日）： 2007年03月08日
要約：
【課題】半導体装置の性能を向上することが可能な技術を提供する。【解決手段】半導体基板であるウェハ25内に、リン等のn型不純物やボロン等のp型不純物を導入する。そして、ウェハ25に対してその裏面25a側から入射レーザ光6を照射し、それによってウェハ25内の不純物を活性化する。入射レーザ光6は、ウェハ25に対する照射タイミングを互いにずらして重畳された複数のパルスレーザ光1,2から成る。このような入射レーザ光6を使用して不純物の活性化を行うことによって、ウェハ25の溶融を抑制しつつ、当該ウェハ25に対して長時間レーザ光を照射することができる。その結果、半導体装置の性能が向上する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
(a)第1の主面と、当該第1の主面とは反対側に位置する第2の主面とを有する半導体基板内に不純物を導入する工程と、 (b)前記半導体基板にレーザ光を照射することによって前記不純物を活性化する工程と を備え、 前記レーザ光は、前記半導体基板に対する照射タイミングを互いにずらして重畳された複数のパルスレーザ光から成る、半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/265 ,  H01S 3/00 ,  H01L 21/268
FI (3件)：
H01L21/265 602C ,  H01S3/00 B ,  H01L21/268 J
Fターム (17件)：
5F172AE03 ,  5F172AE08 ,  5F172AE09 ,  5F172AF02 ,  5F172NN23 ,  5F172NN26 ,  5F172NN28 ,  5F172NP02 ,  5F172NP03 ,  5F172NR01 ,  5F172NR04 ,  5F172NR12 ,  5F172NR13 ,  5F172NR22 ,  5F172ZA02 ,  5F172ZA04 ,  5F172ZZ01
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (11件)
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