特許
J-GLOBAL ID：201003089588141443

酸化物半導体、薄膜トランジスタ並びに表示装置

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
佐々木 俊成

佐々木 俊成 について

, 
細羽 みゆき

細羽 みゆき について

, 
伊藤 俊一

伊藤 俊一 について

, 
坂田 淳一郎

坂田 淳一郎 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-274083
公開番号（公開出願番号）：特開2010-103340
出願日： 2008年10月24日
公開日（公表日）： 2010年05月06日
要約：
【課題】酸化物半導体の組成若しくは欠陥制御をすることを目的の一とし、また、薄膜トランジスタの電界効果移動度を高め、オフ電流を抑えつつ十分なオンオフ比を得ることを他の目的の一とする。【解決手段】InMO3(ZnO)n(M=Ga、Fe、Ni、Mn、Co及びAlから選ばれた一又は複数の元素、nは1以上50未満の非整数)でありさらに水素を含む。この場合において、Znの濃度がIn及びM(M=Fe、Ga、Ni及びAlから選ばれた一又は複数の元素)よりも低くする。また、当該酸化物半導体はアモルファス構造を有している。ここでnの値は、好ましくは1以上50未満の非整数、より好ましくは10未満の非整数とする。【選択図】図18
請求項（抜粋）：
In、Ga、Znを構成成分として含みさらに水素を含むことを特徴とする酸化物半導体。
IPC (5件)：
H01L 29/786 ,  C23C 14/08 ,  G02F 1/136 ,  G09F 9/30 ,  H01L 29/26
FI (7件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 619A ,  C23C14/08 K ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 338 ,  H01L29/78 618G ,  H01L29/26
Fターム (78件)：
2H092JA26 ,  2H092JA28 ,  2H092JA31 ,  2H092JA32 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JA46 ,  2H092JB69 ,  2H092KA05 ,  2H092KA08 ,  2H092KA12 ,  2H092KA18 ,  2H092MA03 ,  2H092MA04 ,  2H092MA05 ,  2H092MA17 ,  2H092NA22 ,  2H092PA01 ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA50 ,  4K029BB10 ,  4K029BD01 ,  4K029CA06 ,  4K029DB05 ,  4K029DC34 ,  5C094AA04 ,  5C094AA21 ,  5C094AA42 ,  5C094AA43 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094BA75 ,  5C094CA19 ,  5C094DA06 ,  5C094FB14 ,  5C094GB10 ,  5C094JA20 ,  5F110AA05 ,  5F110AA26 ,  5F110BB02 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD07 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF07 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG07 ,  5F110GG15 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK08 ,  5F110HK21 ,  5F110HM03 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM