特許
J-GLOBAL ID：201003096933719328
パターン描画装置およびパターン描画方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松阪 正弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-067527
公開番号（公開出願番号）：特開2010-219471
出願日： 2009年03月19日
公開日（公表日）： 2010年09月30日
要約：
【課題】基板の歪みに高精度に合わせつつパターンを描画する。【解決手段】パターン描画装置では、基板上に既に形成されているパターンが有するマークの位置がマーク検出位置として検出され(ステップS11)、基板が歪む前のマークの位置であるマーク参照位置からのマークの変位が求められる(ステップS12)。そして、マークの変位を拘束条件として有限要素解析が行われ、複数のマークの間の位置である補間参照位置における変位が求められる(ステップS13)。パターン描画装置では、マーク参照位置の変位および補間参照位置の変位に従ってパターンが変形されて描画が行われる(ステップS14,S15)。これにより、基板9の歪みに高精度に合わせつつパターンを描画することが実現される。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
基板上にパターンを描画するパターン描画装置であって、
歪んだ基板上に設けられた複数のマークの位置をマーク検出位置として取得するマーク位置取得部と、
前記基板が歪む前の前記複数のマークの位置であるマーク参照位置から前記マーク検出位置への変位を拘束条件として前記基板の歪みを有限要素法を用いて解析することにより、前記マーク参照位置が存在する領域中の前記マーク参照位置とは異なる補間参照位置における変位を求める演算部と、
前記基板の歪みによる前記マーク参照位置および前記補間参照位置の変位に従って、前記基板上にパターンを歪ませつつ描画する描画部と、
を備えることを特徴とするパターン描画装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/30 529
, G03F7/20 505
2H097AA03
, 2H097BA10
, 2H097BB10
, 2H097KA20
, 2H097KA40
, 2H097LA12
, 5F046BA07
, 5F046CB02
, 5F046CB18
, 5F046DB04
, 5F046EB01
, 5F046FC04
, 5F046FC06
, 5F046FC10
