単結晶の欠陥密度測定方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (5件)：青木篤 , 石田敬 , 古賀哲次 , 関根宣夫 , 堂垣泰雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-072340
公開番号（公開出願番号）：特開2010-223812
出願日： 2009年03月24日
公開日（公表日）： 2010年10月07日
要約：

【課題】単結晶の欠陥の種類の判別を機械的に高い効率で行なうことができる欠陥密度測定方法を提供する。【解決手段】単結晶の欠陥密度を欠陥の種類毎に測定する方法であって、下記の工程: 単結晶の観察面をエッチングして個々の欠陥にエッチピットを形成する工程、同一観察視野中の複数のエッチピットについて一括して、個々のエッチピットの最大深さ、平均深さ、深さ曲率を測定する工程、および個々のエッチピットの最大深さ、平均深さ、深さ曲率の基準値に対する大小関係により各エッチピットの種類を判定する工程を含む欠陥密度測定方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

単結晶の欠陥密度を欠陥の種類毎に測定する方法であって、下記の工程: 単結晶の観察面をエッチングして個々の欠陥にエッチピットを形成する工程、同一観察視野中の複数のエッチピットについて一括して、個々のエッチピットの最大深さ、平均深さ、深さ曲率を測定する工程、および個々のエッチピットの最大深さ、平均深さ、深さ曲率の基準値に対する大小関係により各エッチピットの種類を判定する工程を含むことを特徴とする単結晶の欠陥密度測定方法。

IPC (1件)：

G01N 21/956

FI (1件)：

G01N21/956 A

Fターム (6件)：

2G051AA51 , 2G051AB02 , 2G051AC04 , 2G051EB01 , 2G051EC01 , 2G051EC03

引用特許：

審査官引用 (9件)

単結晶基板の評価方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-199553 出願人：トヨタ自動車株式会社
結晶欠陥検査装置及び結晶欠陥検査方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-394506 出願人：松下電工株式会社
結晶欠陥の検査方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-280695 出願人：信越半導体株式会社, 株式会社ニレコ

全件表示

前のページに戻る