研究者
J-GLOBAL ID:201101016351040599   更新日: 2024年08月06日

鷲尾 勝由

ワシオ カツヨシ | Washio Katsuyoshi
所属機関・部署:
職名: 教授
ホームページURL (1件): http://www.sse.ecei.tohoku.ac.jp/index.html
研究分野 (1件): 薄膜、表面界面物性
競争的資金等の研究課題 (3件):
  • 2015 - 2018 サブ原子層カーボンの媒介による緩和Ge薄膜と量子ドットの選択的形成とデバイス応用
  • 2014 - 2017 フェムト秒レーザー光超音波顕微鏡の開発による細胞の断層像の可視化
  • 2012 - 2015 サーファクタント媒介による緩和Ge薄膜結晶の形成とデバイス応用
論文 (148件):
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MISC (215件):
特許 (104件):
書籍 (2件):
  • 電気電子材料
    オーム社 2016 ISBN:9784274216787
  • Silicon-germanium (SiGe) nanostructures
    Woodhead Publishing in Materials 2011
講演・口頭発表等 (68件):
  • Control of VW and SK growth modes in Ge quantum dot formation on Si(100) via carbon mediation
    (16th International Conference on Nanotechnology - IEEE NANO 2016 2016)
  • Low-power fully-integrated K-band transceiver using transformer direct-stacking/connecting and balun signal-combining techniques
    (ESSCIRC 2010 - 36th European Solid State Circuits Conference 2010)
  • Low-power fully-integrated K-band transceiver using transformer direct-stacking/connecting and balun signal-combining techniques
    (36th European Solod-State Circuits Conference (ESSCIRC) 2010)
  • A 24-GHz low-power fully integrated receiver with image-rejection using Rich-Transformer Direct-Stacked/Coupled technique
    (IEEE Radio Frequency Integrated Circuits (RFIC) Symposium 2010)
  • SiGe HBT Amplifiers with High Image Rejection for Quasi-millimeter-wave Frequency Range
    (2010 TOPICAL MEETING ON SILICON MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUITS IN RF SYSTEMS 2010)
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学位 (1件):
  • 工学博士 (早稲田大学)
委員歴 (2件):
  • 2003/04 - 現在 日本学術振興会 半導体界面制御技術第154委員会 企画副幹事長
  • 2003/04 - 現在 日本学術振興会 半導体界面制御技術第154委員会 企画副幹事長
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