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J-GLOBAL ID：201102267528859999   整理番号：11A1269852

SiC表面の黒鉛化温度の酸素誘起低下

Oxygen-Induced Reduction of the Graphitization Temperature of SiC Surface

著者 (10件)： IMAIZUMI Kei (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  HANDA Hiroyuki (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  TAKAHASHI Ryota (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SAITO Eiji (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  FUKIDOME Hirokazu (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  ENTA Yoshiharu (Hirosaki Univ., Aomori, JPN) ,  TERAOKA Yuden (Japan Atomic Energy Agency, Hyogo, JPN) ,  YOSHIGOE Akitaka (Japan Atomic Energy Agency, Hyogo, JPN) ,  SUEMITSU Maki (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SUEMITSU Maki (JST-CREST, Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 50  号： 7,Issue 1  ページ： 070105.1-070105.6  発行年： 2011年07月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiCとO₂系の間の固液相平衡では,(2+x)SiC+O2→(2+x)Si↑+ 2CO↑+ xC↓反応が起きる領域が存在する[Y.W.Song and F.W.Smith:J.Am.Ceram.Soc.88(2005)1864]。この領域への黒鉛化焼なましに用いる温度と酸素圧力を調整することにより,通常のエピタキシャルグラフェン法よりも250°C低い1000°CでSiC結晶上にエピタキシャルグラフェンを成長させることに成功した。Si基板及びSi技術との両立性を得る使命故に,低い黒鉛化温度を必要とする珪素上のエピタキシャルグラフェンの形成に本方法は特に有用である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *黒鉛化 ,  固液平衡 ,  ウエハ【IC】 ,  単一層 ,  エピタクシー ,  焼なまし ,  *温度 ,  半導体薄膜 ,  酸素 ,  グラフェン ,  *成長温度 ,  シリコンウエハ
準シソーラス用語： ケイ素基板 ,  固液相平衡

分類 (1件)： 薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

引用文献 (10件)：

• 1) S.V. Morozov, K.S. Novoselov, M.I. Katsnelson, F. Schedin, D.C. Elias, J.A. Jaszczak, and A.K. Geim: Phys. Rev. Lett. 100 (2008) 016602.
• 2) C. Berger, Z. Song, X. Wu, N. Brown, C. Naud, D. Mayou, T. Li, J. Hass, A.N. Marchenkov, E.H. Conrad, P.N. First, and W.A. De Heer: Science 312 (2006) 1191.
• 3) K.V. Emtsev, F. Speck, Th. Seyller, and L. Ley: Phys. Rev. B 77 (2008) 155303.
• 4) M. Suemitsu, Y. Miyamoto, H. Handa, and A. Konno: e-J. Surf. Sci. Nanotechnol. 7 (2009) 311.
• 5) Y. Miyamoto, H. Handa, E. Saito, A. Konno, Y. Narita, M. Suemitsu, H. Fukidome, T. Ito, K. Yasui, H. Nakazawa, and T. Endoh: e-J. Surf. Sci. Nanotechnol. 7 (2009) 107.

タイトルに関連する用語 (4件)： SiC ,  黒鉛化 ,  酸素 ,  誘起