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J-GLOBAL ID：200902216297000360   整理番号：09A0189336

Si基板上のSiC膜上に形成したエピタキシャルグラフェンのRaman散乱分光法

Raman-Scattering Spectroscopy of Epitaxial Graphene Formed on SiC Film on Si Substrate

著者 (12件)： MIYAMOTO Yu (Res. Inst. of Electrical Communication, Tohoku Univ., JPN) ,  HANDA Hiroyuki (Res. Inst. of Electrical Communication, Tohoku Univ., JPN) ,  SAITO Eiji (Res. Inst. of Electrical Communication, Tohoku Univ., JPN) ,  KONNO Atsushi (Res. Inst. of Electrical Communication, Tohoku Univ., JPN) ,  NARITA Yuzuru (Dep. of Electrical Engineering, Yamagata Univ., JPN) ,  SUEMITSU Maki (Res. Inst. of Electrical Communication, Tohoku Univ., JPN) ,  SUEMITSU Maki (CREST, Japan Sci. and Technol. Agency, JPN) ,  FUKIDOME Hirokazu (Center for Interdisciplinary Res., Tohoku Univ., JPN) ,  ITO Takashi (Center for Interdisciplinary Res., Tohoku Univ., JPN) ,  YASUI Kanji (Dept. of Electrical Engineering, Nagaoka Univ. of Technol., JPN) ,  NAKAZAWA Hideki (Dept. of Materials Sci. and Technol., Hirosaki Univ., JPN) ,  ENDOH Tetsuo (Center for Interdisciplinary Res., Tohoku Univ., JPN)
資料名： e-Journal of Surface Science and Nanotechnology (Web)  (e-Journal of Surface Science and Nanotechnology (Web))
巻： 7  ページ： 107-109 (J-STAGE)  発行年： 2009年 
JST資料番号： U0016A  ISSN： 1348-0391  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si(110)表面上に形成した3C-SiC(111)超薄膜の1200°Cでの真空アニーリングを行うことにより,Si基板上にグラフェン層を形成させることに成功した。この表面からのRaman散乱スペクトルは明確な2次元バンドを示し,これを4つのサブコンポーネントに分解することにより,膜は主として二層のグラフェンから成ることがわかった。ピーク位置は機械的剥離法により形成した自立グラフェンよりもブルーシフトしていることから,膜内では圧縮応力があることが示唆された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *グラファイト ,  炭素 ,  薄膜 ,  Raman散乱 ,  炭化ケイ素 ,  超薄膜 ,  *Ramanスペクトル ,  スペクトル解析 ,  青方偏移 ,  圧縮応力 ,  MBE成長 ,  *ヘテロエピタクシー ,  *グラフェン
準シソーラス用語： 炭素膜

分類 (2件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

物質索引 (1件)： メチルシラン

引用文献 (21件)：

• [1] S. V. Morozov, K. S. Novoselov, M. I. Katsnelson, F. Schedin, D. C. Elias, J. A. Jaszczak, and A. K. Geim, Phys. Rev. Lett. 100, 016602 (2008).
• [2] F. Wang, Y. Zhang, C. Tian, C. Girit, A. Zettl, M. Crommie, and Y. R. Shen, Science 320, 206 (2008).
• [3] M. Ohishi, M. Shiraishi, R. Nouchi, T. Nozaki, T. Shinjo, and Y. Suzuki, Jpn. J. Appl. Phys. 46, L605 (2007).
• [4] K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S. V. Dubonos, I. V. Grigorieva, and A. A. Firsov, Science 306, 666 (2004).
• [5] C. Riedl, U. Starke, J. Bernhardt, M. Franke, and K. Heinz, Phys. Rev. B 76, 245406 (2007).

タイトルに関連する用語 (5件)： Si基板 ,  SiC ,  エピタキシャルグラフェン ,  Raman散乱 ,  分光法