特許
J-GLOBAL ID：201103002763676036

半導体装置及びその製造方法

発明者：
吉江 徹

吉江 徹 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴木 弘一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-026879
公開番号（公開出願番号）：特開2002-231808
特許番号：特許第3887175号
出願日： 2001年02月02日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
請求項（抜粋）：
【請求項1】シラノール系化合物で構成されると共に複数の溝を有する第1の絶縁膜が基板上に形成され、前記溝内に埋め込まれる複数の第1配線を有する半導体装置において、前記第1絶縁膜は、前記複数の第1配線に接して設けられる複数の第1多孔質体と、前記第1多孔質体間に設けられる第1非多孔質体とを有し、 前記第1非多孔質体は、前記第1絶縁膜にアルキルシロキサンポリマーを含有した状態であり、前記第1多孔質体は、前記第1非多孔質体の前記アルキルシロキサンポリマーを選択的に除去することにより空隙が形成されたものであり、 前記第1非多孔質体及び前記第1多孔質体直上には、キャップ絶縁膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/768 ( 200 6.01) ,  H01L 23/522 ( 200 6.01) ,  H01L 21/3065 ( 200 6.01) ,  H01L 21/312 ( 200 6.01) ,  H01L 21/316 ( 200 6.01)
FI (5件)：
H01L 21/90 N ,  H01L 21/302 104 Z ,  H01L 21/312 M ,  H01L 21/316 G ,  H01L 21/316 M
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (4件)
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