特許
J-GLOBAL ID：201103002959950179

電界効果型トランジスタの製造方法及び電界効果型トランジスタ

発明者：
安部 由希子

安部 由希子 について

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植田 尚之

植田 尚之 について

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中村 有希

中村 有希 について

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曽根 雄司

曽根 雄司 について


出願人/特許権者：
株式会社リコー

株式会社リコー について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-131676
公開番号（公開出願番号）：特開2011-035376
出願日： 2010年06月09日
公開日（公表日）： 2011年02月17日
要約：
【課題】MgとInを主成分とする酸化物半導体を活性層とする電界効果型トランジスタにおいて、エッチングによりパターニングする工程における活性層のダメージを抑制することが可能な電界効果型トランジスタの製造方法、及び該ダメージが軽減された電界効果型トランジスタを提供すること。【解決手段】ゲート電極と、ソース電極及びドレイン電極と、チャネル領域を形成する活性層と、を備え、前記活性層がマグネシウム(Mg)とインジウム(In)を主成分とする酸化物半導体を含んで構成されている電界効果型トランジスタの製造方法であって、前記活性層となる酸化物膜を成膜する成膜工程と、前記酸化物膜を、エッチングを含む工程によりパターニングして、前記活性層を形成するパターニング工程と、前記パターニング工程よりも後に、前記活性層に対して熱処理を行う熱処理工程と、を有する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
ゲート電極と、ソース電極及びドレイン電極と、チャネル領域を形成する活性層と、を備え、前記活性層がマグネシウム(Mg)とインジウム(In)を主成分とする酸化物半導体を含んで構成されている電界効果型トランジスタの製造方法であって、 前記活性層となる酸化物膜を成膜する成膜工程と、 前記酸化物膜を、エッチングを含む工程によりパターニングして、前記活性層を形成するパターニング工程と、 前記パターニング工程よりも後に、前記活性層に対して熱処理を行う熱処理工程と、を有する電界効果型トランジスタの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/363
FI (4件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 627F ,  H01L29/78 618Z ,  H01L21/363
Fターム (46件)：
4K029AA09 ,  4K029BA45 ,  4K029BA50 ,  4K029CA06 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  5F103AA08 ,  5F103BB22 ,  5F103DD30 ,  5F103GG03 ,  5F103HH04 ,  5F103LL13 ,  5F103PP03 ,  5F103RR03 ,  5F103RR05 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF28 ,  5F110GG01 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK33
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (4件)
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引用文献：
出願人引用 (2件)

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