半導体記憶装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：鈴江武彦 , 村松貞男 , 坪井淳 , 橋本良郎 , 河野哲 , 中村誠 , 河井将次
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-293931
公開番号（公開出願番号）：特開2002-110941
特許番号：特許第3643527号
出願日： 2000年09月27日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板内にトレンチを選択的に形成する工程と、前記トレンチ下部の外側面にプレート電極を形成する工程と、前記トレンチ下部の内側面にキャパシタ誘電膜を形成する工程と、前記キャパシタ誘電膜上にストレージノード電極を形成する工程と、前記トレンチ上部の内側面にカラー酸化膜を形成する工程と、前記ストレージノード電極に接して不純物を含んだアモルファスシリコン膜を形成して前記トレンチ内を埋め込む工程と、高温アニールを行うことにより、前記アモルファスシリコン膜中の不純物濃度を均一にし、前記アモルファスシリコン膜をポリシリコン膜に変化させる工程と、前記ポリシリコン膜を選択的に除去し、素子分離用溝を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/8242 , H01L 27/108

FI (1件)：

H01L 27/10 625 A

引用特許：

出願人引用 (8件)

モノリシック・メモリデバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-291157 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
トレンチ埋込みストラップを形成する方法および構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-008943 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
テープカートリッジ
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-290448 出願人：日立マクセル株式会社

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審査官引用 (4件)

半導体メモリ装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-076252 出願人：シーメンス・アクチェンゲゼルシャフト, インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション, 株式会社東芝
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-236117 出願人：新日本製鐵株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-253252 出願人：株式会社日立製作所

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