有機ELディスプレイ及び有機ELディスプレイの製造方法

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出願人/特許権者： , , ,
代理人 (1件)：鶴若俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-042390
公開番号（公開出願番号）：特開2011-181590
出願日： 2010年02月26日
公開日（公表日）： 2011年09月15日
要約：

【課題】プラスチック基板を用いた大画面で高精細な有機ELディスプレイと、そのロール状の長尺なプラスチック基板を用いた有機ELディスプレイの製造が可能である。【解決手段】有機ELディスプレイは、透明なプラスチック基板100上に、少なくとも下部電極300、少なくとも発光層を含む有機層、及び上部電極305が形成された有機EL素子A、及び薄膜トランジスタBを有し、下部電極300と、薄膜トランジスタBのソース電極またはドレイン電極とが接続され、プラスチック基板100は、ガスバリア層101aを有し、薄膜トランジスタBは、ガスバリア層101a上に形成され、薄膜トランジスタBは、酸素(O)と窒素(N)の混合物でOに対するNの比(N数密度/O数密度)が0乃至2である非金属元素を含む活性層203を有し、有機EL素子Aは、少なくともガスバリア層101a上または薄膜トランジスタB上に形成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

透明なプラスチック基板上に、少なくとも下部電極、少なくとも発光層を含む有機層、及び上部電極が形成された有機EL素子、及び薄膜トランジスタを有する有機ELディスプレイであって、前記下部電極と、前記薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極とが接続され、前記プラスチック基板は、ガスバリア層を有し、前記薄膜トランジスタは、前記ガスバリア層上に形成され、前記薄膜トランジスタは、酸素(O)と窒素(N)の混合物でOに対するNの比(N数密度/O数密度)が0乃至2である非金属元素を含む活性層を有し、前記有機EL素子は、少なくとも前記ガスバリア層上または前記薄膜トランジスタ上に形成されていることを特徴とする有機ELディスプレイ。

IPC (3件)：

H01L 51/50 , H05B 33/12 , H05B 33/10

FI (3件)：

H05B33/14 A , H05B33/12 E , H05B33/10

Fターム (17件)：

3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107CC02 , 3K107CC06 , 3K107CC09 , 3K107CC33 , 3K107CC35 , 3K107CC36 , 3K107CC42 , 3K107DD02 , 3K107DD16 , 3K107EE03 , 3K107EE22 , 3K107FF15 , 3K107GG05 , 3K107GG09 , 3K107GG28

引用特許：

審査官引用 (10件)

有機電界発光表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-128655 出願人：富士フイルム株式会社
表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-215031 出願人：株式会社日立ディスプレイズ
電界効果型トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-146890 出願人：キヤノン株式会社

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引用文献：

審査官引用 (1件)

Amorphous In-Sn-Si-O Thin-Film Transistors Having Various Si Compositional Ratios

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