半導体発光素子デバイスの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-076557
公開番号（公開出願番号）：特開2011-210911
出願日： 2010年03月30日
公開日（公表日）： 2011年10月20日
要約：

【課題】従来の製造方法と比較して、耐熱性および耐候性に優れた半導体発光素子デバイスを容易に製造するための方法を提供する。【解決手段】半導体発光素子と波長変換部材を備えてなる半導体発光素子デバイスの製造方法であって、半導体発光素子と波長変換部材をガラスフィルムにより加熱接合することを特徴とする半導体発光素子デバイスの製造方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体発光素子と波長変換部材を備えてなる半導体発光素子デバイスの製造方法であって、半導体発光素子と波長変換部材をガラスフィルムにより加熱接合することを特徴とする半導体発光素子デバイスの製造方法。

IPC (1件)：

H01L 33/50

FI (1件)：

H01L33/00 410

Fターム (4件)：

5F041AA43 , 5F041AA44 , 5F041CB36 , 5F041DA01

引用特許：

審査官引用 (11件)

発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-293673 出願人：スタンレー電気株式会社
半導体発光素子、その製造方法および発光ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-065748 出願人：昭和電工株式会社
照明装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-199611 出願人：東芝ライテック株式会社

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