メモリ素子の記録再生方法、磁気抵抗素子及び磁気ランダムアクセスメモリ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：宮崎昭夫 , 岩田慎一 , 緒方雅昭 , 金田暢之 , 伊藤克博 , 石橋政幸
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-078470
公開番号（公開出願番号）：特開2002-280638
特許番号：特許第3658331号
出願日： 2001年03月19日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
請求項（抜粋）：

【請求項1】膜面垂直方向に磁化した第1磁性層と、第1非磁性層と、膜面垂直方向に磁化した第2磁性層と、第2非磁性層と、膜面垂直方向に磁化した第3磁性層とが順に積層され、前記第1磁性層及び前記第3磁性層の保磁力がいずれも前記第2磁性層の保磁力よりも小さい磁気抵抗素子を有するメモリ素子の記録再生方法であって、前記第2磁性層の磁化方向を記録情報に応じて変化させ、前記第1磁性層及び前記第3磁性層の磁化方向を読出し時に反転させるようにしたことを特徴とするメモリ素子の記録再生方法。

IPC (3件)：