特許
J-GLOBAL ID:201103020424747461
カーボン薄膜製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
,
代理人 (2件):
石島 茂男
, 阿部 英樹
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-273790
公開番号(公開出願番号):特開2001-098358
特許番号:特許第4510186号
出願日: 1999年09月28日
公開日(公表日): 2001年04月10日
請求項(抜粋):
【請求項1】 水素原子数よりも炭素原子数の方が多い有機化合物をカーボン薄膜の原料とし、
該カーボン薄膜の原料を溶媒に溶解させて液体原料とし、
該液体原料の蒸気を生成し、
該蒸気を電離した後、成膜対象物が配置された真空槽内に放出し、
前記カーボン薄膜の原料を前記成膜対処物の表面に付着させ、カーボン薄膜を形成し、
前記溶媒に揮発性のアルコールを用い、前記有機化合物として下記化学式(1)に示す構造のC24H12を用いることを特徴とするカーボン薄膜製造方法。
IPC (2件):
C23C 14/24 ( 200 6.01)
, C23C 14/06 ( 200 6.01)
FI (2件):
C23C 14/24 D
, C23C 14/06 F
引用特許:
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (9件)
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被膜形成装置及び被膜形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-015970
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
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炭素薄膜の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-322542
出願人:花王株式会社
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磁気記録媒体
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-110151
出願人:ティーディーケイ株式会社
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