特許
J-GLOBAL ID：201103021403257827
自動フッ素制御システム
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
中村 稔
, 大塚 文昭
, 宍戸 嘉一
, 竹内 英人
, 今城 俊夫
, 小川 信夫
, 村社 厚夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-023954
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274610
特許番号：特許第3672449号
出願日： 1999年02月01日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 A)1)間隔が隔てられた2つの細長い電極と、 2)希ガスと、 フッ素と、 バッファーガスと、を有するレーザガスと、 を備えるレーザチャンバと、 B)間隔が隔てられた2つの電極の間にレーザガスを流すためのブロワーと、 C)前記フッ素と、前記希ガスと、前記バッファガスとを包含する混合ガスからなるフッ素源と、 D)少なくとも0.3リットルの容積を備える注入ボトルと、 E)前記フッ素源と前記注入ボトルとの間、及び、前記注入ボトルと前記レーザチャンバの比較的低い内部ガス圧力領域との間にガスフローコミュニケーションを提供するガス注入マニホールドと、 F)前記レーザチャンバの比較的高い内部ガス圧力領域と前記注入ボトルとの間に配置され、前記レーザチャンバから前記注入ボトルを通るガスフローを許容する配管と、 G)フッ素注入フロー制御バルブを備えるフッ素制御システムであって、レーザチャンバのフッ素濃度によって決定された所望のスィートスポット内で前記レーザを作動させることができるように、所定の放電電圧から所定の増加分ΔVだけ放電電圧が増加したとき、正確なフッ素の量ΔF2を前記フロー制御バルブにより決定されたレートで注入し、もって前記フロー制御バルブが注入に費やされる時間を注入開始点の間のインターバルの70%〜90%となるように制御するようなプログラムをプログラミングされたプロセッサにより、前記注入ボトルから前記レーザチャンバ内へ、フッ素注入フローを自動的に制御するように配置されたフッ素制御システムと、を有することを特徴とするフッ素ガス放電レーザシステム。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S 3/03 J
, H01S 3/223 E
