特許
J-GLOBAL ID：201103022007918035

半導体装置の製造方法

発明者：
中川 秀夫

中川 秀夫 について

, 
玉岡 英二

玉岡 英二 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (2件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-353965
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168192
特許番号：特許第4002704号
出願日： 1999年12月14日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板上に有機絶縁膜を堆積する工程と、 前記有機絶縁膜の上に選択的にシリル化層を形成する工程と、 前記シリル化層をマスクとして前記有機絶縁膜に対してエッチングを行なって、前記有機絶縁膜に接続孔又は配線溝となる凹部を形成する工程とを備え、 前記シリル化層を形成する工程は、 前記有機絶縁膜の表面を水酸基で終端する工程と、前記有機絶縁膜の表面に高エネルギー光をパターン露光して前記有機絶縁膜の露光部の水酸基を除去する工程と、パターン露光された前記有機絶縁膜の表面にシリル化剤を供給して前記有機絶縁膜の未露光部の表面に前記シリル化層を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/768 ( 200 6.01) ,  H01L 21/3065 ( 200 6.01)
FI (3件)：
H01L 21/90 A ,  H01L 21/90 P ,  H01L 21/302 105 A
引用特許：
出願人引用 (12件)
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審査官引用 (10件)
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