特許
J-GLOBAL ID：201103023584302236

半導体集積回路装置

発明者：
北出 修

北出 修 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-010234
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208716
特許番号：特許第4446505号
出願日： 1999年01月19日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体集積回路装置であって、 動作条件設定信号によって2つの動作条件のいずれかに基づいて動作する内部回路と、 前記動作条件設定信号を発生する動作条件設定手段とを備え、 前記動作条件設定手段は、 第1の外部入力端子と、 前記第1の外部入力端子と所定の電位との結合の有無に応じて、前記2つの動作条件のいずれか一方を選択する前記動作条件設定信号を生成する内部制御信号生成手段と、 前記第1の外部入力端子と前記所定の電位との結合の有無とは独立して外部から与えられる電気信号により、前記動作条件の変更を選択的かつ不揮発的に設定可能な動作条件変更手段とを含み、 前記動作条件変更手段は、 外部より印加される前記電気信号の電位によって溶断可能なヒューズ素子と、 前記ヒューズ素子を溶断するための前記電気信号が印加される第2の外部入力端子と、 前記ヒューズが溶断された場合に、前記内部制御信号生成手段の生成する前記動作条件設定信号の状態を反転するレベル反転手段とをさらに有し、 前記第1の外部入力端子と前記所定の電位との結合は、ワイヤボンディングによって行われる、半導体集積回路装置。
IPC (5件)：
H01L 21/822 ( 200 6.01) ,  H01L 27/04 ( 200 6.01) ,  G11C 11/401 ( 200 6.01) ,  H01L 21/82 ( 200 6.01) ,  G11C 29/14 ( 200 6.01)
FI (6件)：
H01L 27/04 M ,  G11C 11/34 362 C ,  G11C 11/34 371 K ,  G11C 11/34 371 A ,  H01L 21/82 F ,  G11C 29/00 671 T
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (10件)
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