特許
J-GLOBAL ID：201103027037334021
半導体装置及び半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
亀谷 美明 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-297128
公開番号（公開出願番号）：特開2001-118923
特許番号：特許第3415081号
出願日： 1999年10月19日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体装置であって:絶縁膜内に形成された下層配線の表面と前記絶縁膜の表面とが露出する表面が形成される下地層と,前記下地層の表面に形成されており前記下層配線の表面を内部に露出させる貫通孔が形成される第1層間絶縁膜と,前記貫通孔内に形成されており前記貫通孔内部において前記下層配線と接続される導電プラグと,前記導電プラグの表面に形成されており前記導電プラグの表面を内部に露出される上層配線溝が形成される第2層間絶縁膜と,前記上層配線溝の側壁に形成される第1バリア層と,前記上層配線溝内の前記導電プラグ上に形成されるシード層と,前記上層配線溝内部において前記シード層を介して前記導電プラグと接続される上層配線と,からなることを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (3件)
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