特許
J-GLOBAL ID:201103029982210749

超電導キャビティ、その製造方法、及び超電導加速器

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (6件): 鈴江 武彦 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  河井 将次
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-061447
公開番号(公開出願番号):特開2000-260599
特許番号:特許第3959198号
出願日: 1999年03月09日
公開日(公表日): 2000年09月22日
請求項(抜粋):
【請求項1】レーザ光を利用して溶接する際にキャビティ全体を容器内に軸方向を縦にしてセットし、前記レーザ光の集光用光学ヘッドを前記キャビティの内側に挿入した状態で前記キャビティ内及び前記容器内の両方の空気を吸引し、その後不活性ガスの吸入を行ない前記キャビティの外側及び内側の雰囲気を高純度で同圧の不活性ガス雰囲気にした状態で前記レーザ光により溶接する超電導キャビティの製造方法であって、 前記溶接は、板材を曲げ加工することにより直管を製造し、前記直管の内側から治具により固定して行ない、 前記直管の溶接、第1のアイリス部である「前記直管と第1のセル部との突合せ部」の溶接、前記第1のセル部の長径部の溶接、及び第2のアイリス部である「前記第1のセル部の短径部と第2のセル部の短径部との突合せ部」の溶接を、まず内側からのレーザ光による非貫通溶接で行ない、その後に外部からもレーザ光により非貫通溶接で行ない、 前記第1のアイリス部の溶接、前記第1のセル部の長径部の溶接、及び前記第2のアイリス部の溶接の開先は、段付き形状であることを特徴とする超電導キャビティの製造方法。
IPC (6件):
H05H 7/20 ( 200 6.01) ,  B23K 26/00 ( 200 6.01) ,  B23K 26/04 ( 200 6.01) ,  B23K 26/06 ( 200 6.01) ,  B23K 26/12 ( 200 6.01) ,  B23K 33/00 ( 200 6.01)
FI (6件):
H05H 7/20 ZAA ,  B23K 26/00 G ,  B23K 26/04 Z ,  B23K 26/06 A ,  B23K 26/12 ,  B23K 33/00 Z
引用特許:
出願人引用 (15件)
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審査官引用 (27件)
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