特許

J-GLOBAL ID：201103029991181140

シリコン単結晶ウエーハおよびその製造方法並びにSOIウエーハ

発明者： 飯田 誠 ,  木村 雅規
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-322487
公開番号（公開出願番号）：特開2001-146498
特許番号：特許第3994602号
出願日： 1999年11月12日
公開日（公表日）： 2001年05月29日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 チョクラルスキー法によって育成されたシリコン単結晶ウエーハであって、窒素がドープされ、全面N-領域からなり、かつ格子間酸素濃度が5〜8ppma(JEIDA)であることを特徴とするシリコン単結晶ウエーハ。

IPC (4件)：

C30B 29/06 ( 200 6.01) ,  H01L 21/322 ( 200 6.01) ,  H01L 21/02 ( 200 6.01) ,  H01L 27/12 ( 200 6.01)

FI (3件)：

C30B 29/06 502 H ,  H01L 21/322 Y ,  H01L 27/12 B

引用特許：

審査官引用 (6件)

• シリコンウェーハとその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-216583   出願人：住友シチックス株式会社
• シリコン単結晶基板の製造方法および品質管理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-127091   出願人：信越半導体株式会社
• SOI基板およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-108202   出願人：日本電気株式会社
• シリコン単結晶およびエピタキシャルウェーハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-358557   出願人：住友金属工業株式会社
• 半導体シリコンウェーハ並びにその製造方法と熱処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-100052   出願人：住友金属工業株式会社
• 単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-146668   出願人：ワッカー・ジルトロニク・ゲゼルシャフト・フュア・ハルブライターマテリアリエン・アクチェンゲゼルシャフト

引用文献：

審査官引用 (3件)

• EFFECTS OF LIGHT ELEMENT IMPURITIES ON THE FORMATION OF GROWN-IN DEFECTS FREE REGION OF CZOCHRALSKI
• EFFECTS OF LIGHT ELEMENT IMPURITIES ON THE FORMATION OF GROWN-IN DEFECTS FREE REGION OF CZOCHRALSKI
• 窒素添加CZ-Si結晶欠陥制御(その1)