特許
J-GLOBAL ID：201103030000453480
半導体デバイスとその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (3件)：
矢野 敏雄
, 山崎 利臣
, 久野 琢也
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-238606
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091438
特許番号：特許第4263816号
出願日： 1999年08月25日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 表面上に、電気的溶断で切断するヒューズのアレーを有する1つの基板を含み、
該ヒューズは接近して隣接配置され、断面領域を有する複数のヒューズリンクを含んでおり、
各ヒューズリンクはその一方の端で、ヒューズリンクの断面領域よりもより大きな断面領域の個別のコネクタ端子に接続され、そしてその他端で、個別のコネクタ端子の断面領域よりもより大きな断面領域の共通コネクタ端子に接続されている、
前記共通コネクタ端子は、共通コネクタ端子への各ヒューズリンクの接続のポイントにおいて局部的に刻み目を持つ、
ことを特徴とする半導体デバイス。
IPC (4件)：
H01L 21/82 ( 200 6.01)
, G11C 29/04 ( 200 6.01)
, H01L 21/8242 ( 200 6.01)
, H01L 27/108 ( 200 6.01)
H01L 21/82 F
, H01L 21/82 R
, G11C 29/00 603 J
, H01L 27/10 691
