特許
J-GLOBAL ID：201103030760233382
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
特許業務法人原謙三国際特許事務所
, 原 謙三
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-363192
公開番号（公開出願番号）：特開2002-164473
特許番号：特許第3859963号
出願日： 2000年11月29日
公開日（公表日）： 2002年06月07日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1の面に配線パターンが形成され、該第1の面より第2の面へ達する複数のスルーホールを有する配線基板と、該配線基板の第1の面に搭載される半導体チップであって、それに備えられた複数の電極が上記配線パターンと電気的に接続された半導体チップと、該半導体チップと共に上記配線基板の第1の面を封止する封止樹脂と、上記配線基板の第2の面に形成され、それぞれ上記スルーホールを介して第1の面の上記配線パターンと電気的に接続された熱溶融性導電材料からなる複数の外部接続端子とを備える半導体装置において、
上記複数の外部接続端子はそれぞれ、上記配線基板の厚み方向に延びる柱形状を成すと共に、半導体装置本体の外周部に位置するほど背丈が高く形成され、各外部接続端子の頂点が同一平面上に配されていると共に、
上記複数の外部接続端子の融点が、半導体装置本体の外周部に位置するものほど高くなっていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 23/12 ( 200 6.01)
, H01L 21/60 ( 200 6.01)
, H05K 3/34 ( 200 6.01)
H01L 23/12 501 W
, H01L 23/12 K
, H01L 21/60 311 S
, H05K 3/34 505 E
