半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (3件)：松山允之 , 池上徹真 , 須藤章
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-027628
公開番号（公開出願番号）：特開2011-165941
出願日： 2010年02月10日
公開日（公表日）： 2011年08月25日
要約：

【課題】SiCを用いた、低オン抵抗、かつ信頼性にも優れた半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】炭化珪素層と、炭化珪素層上に形成され、珪素、酸素、窒素を主成分とし、窒素の最低濃度が1×1020atoms/cm3以上のゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成されるゲート電極を有することを特徴とする半導体装置。炭化珪素層の(000-1)面または(11-20)面上に酸化物膜または酸窒化物膜を形成する工程と、酸化物膜または酸窒化物膜の形成後に、アンモニアガスを含む雰囲気中で熱処理しゲート絶縁膜を形成する工程と、ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

炭化珪素層と、前記炭化珪素層上に形成され、珪素、酸素、窒素を主成分とし、窒素の最低濃度が1×1020atoms/cm3以上のゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されるゲート電極を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/78 , H01L 29/12 , H01L 21/336 , H01L 29/739 , H01L 21/318

FI (6件)：

H01L29/78 652K , H01L29/78 652T , H01L29/78 658F , H01L29/78 653A , H01L29/78 655A , H01L21/318 A

Fターム (17件)：

5F058BA20 , 5F058BB01 , 5F058BC02 , 5F058BC08 , 5F058BC11 , 5F058BD04 , 5F058BD10 , 5F058BD15 , 5F058BF52 , 5F058BF55 , 5F058BF56 , 5F058BF62 , 5F058BF63 , 5F058BF64 , 5F058BH04 , 5F058BJ01 , 5F058BJ04

引用特許：

審査官引用 (7件)

炭化ケイ素層上に形成される窒化酸化物層の処理方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2004-536050 出願人：クリーインコーポレイテッド
半導体装置の製造方法及び半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-085225 出願人：株式会社日立国際電気
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-250417 出願人：株式会社東芝

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