特許
J-GLOBAL ID：201103036827383986

半導体装置の作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
大谷 久

大谷 久 について

, 
高野 圭恵

高野 圭恵 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-199657
公開番号（公開出願番号）：特開2001-035789
特許番号：特許第4493751号
出願日： 1999年07月13日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板上に非晶質半導体薄膜を形成し、 前記非晶質半導体薄膜中に前記非晶質半導体薄膜の結晶化を助長する触媒元素を添加し、 紫外光又は赤外光を照射して前記非晶質半導体薄膜を結晶性半導体薄膜に変化させる第1熱処理を行い、 前記結晶性半導体薄膜に対して水素又はアンモニア雰囲気である還元雰囲気中で900〜1200°Cの第2熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (3件)：
H01L 21/20 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01)
FI (4件)：
H01L 21/20 ,  H01L 29/78 618 G ,  H01L 29/78 620 ,  H01L 29/78 627 G
引用特許：
出願人引用 (9件)
全件表示
審査官引用 (9件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM