特許
J-GLOBAL ID：201103037558603105
誘導結合プラズマ処理装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高山 宏志
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-206764
公開番号（公開出願番号）：特開2002-025987
特許番号：特許第4672113号
出願日： 2000年07月07日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 被処理基板にプラズマ処理を施す処理室と、
前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給系と、
前記処理室内を排気する排気系と、
前記処理室の上部壁または側壁を構成する誘電体壁と、
前記処理室外の前記誘電体壁に対応する部分に設けられ、高周波電力が供給されることにより前記処理室内に誘導電界を形成するための高周波アンテナと、
前記誘電体壁の内側に前記誘電体壁を覆うように設けられ、誘電体で形成された、前記誘電体壁の熱容量よりも小さい熱容量を有するカバー部材と、
前記カバー部材と前記誘電体壁との間に設けられ、前記カバー部材を加熱する加熱手段と、
前記誘電体壁と前記加熱手段との間を断熱する断熱手段と
を具備し、
前記加熱手段は、ローパスフィルタを介して電源に接続されたヒータを有し、
前記誘導電界により処理ガスをプラズマ化して被処理基板にプラズマ処理を施すことを特徴とする誘導結合プラズマ処理装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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