特許
J-GLOBAL ID：201103039318091657
パタン形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 学
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-103712
公開番号（公開出願番号）：特開2000-292927
特許番号：特許第3903638号
出願日： 1999年04月12日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 (a)カルボキシル基および/またはフェノール性水酸基を含有し、かつ重量平均分子量(Mw)と数平均分子量(Mn)との比(Mw/Mn)が、1.0であるバインダ樹脂を、1分子中に少なくとも2個以上のビニルエーテル基を含有する化合物と酸触媒付加反応させて得られる樹脂と、(b)放射線照射により酸を生じる化合物とを含むレジスト液を基板に塗布し、塗膜を形成する工程と、放射線を用いて前記塗膜に所定のパタン潜像を形成する工程と、アルカリ水溶液を現像液としてパタンを現出させる現像工程とを有するパタン形成方法において、
上記成分(a)のバインダ樹脂が、トリス(4-ヒドロキシフェニル)メタン、トリス(4-ヒドロキシフェニル)エタン、2,2-ビス(4-ヒドロキシフェニル)プロパン、α,α,α'-トリス(4-ヒドロキシフェニル)-1-エチル-4-イソプロピルベンゼン、2,6-ビス〔(2-ヒドロキシ-5-メチルフェニル)メチル〕-4-メチルフェノール、2,2'-メチレンビス〔6-〔(2-ヒドロキシ-5-メチルフェニル)メチル〕-4-メチルフェノール〕、4-〔ビス(4-ヒドロキシフェニル)メチル〕-2-メトキシフェノール、4,4',4'',4'''-(1,2-エタンジイリデン)テトラキスフェノール、4,4',4'',4'''-(1,2-エタンジイリデン)テトラキス〔2-メチルフェノール〕、4,6-ビス〔(4-ヒドロキシフェニル)メチル〕-1,3-ベンゼンジオ-ル、2,6-ビス(4-ヒドロキシフェニル)メチル-4-メチルフェノール、4,4',4'',4'''-(1,4-フェニレンジメチリジン)テトラキスフェノール、C-ウンデシルカリックス〔4〕レゾルシンアレーン、メチルカリックス〔4〕レゾルシンアレーン、および上記フェノール類にヒドロキシベンジル、ヒドロキシアルキルベンジル、ジヒドロキシベンジル、ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、アルコキシ、アシル、アシロキシ、ニトロ、ヒドロキシル、シアノ、ハロゲン化アシル、カルボキシル、アルコール、ハロゲン化アルキル等から選ばれる少なくとも1種類の置換基を有するポリヒドロキシ化合物であることを特徴とするパタン形成方法。
IPC (3件)：
G03F 7/039 ( 200 6.01)
, C08K 5/06 ( 200 6.01)
, H01L 21/027 ( 200 6.01)
G03F 7/039 601
, C08K 5/06
, H01L 21/30 502 R
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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