半導体装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡本啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-294434
公開番号（公開出願番号）：特開2011-134956
出願日： 2009年12月25日
公開日（公表日）： 2011年07月07日
要約：

【課題】ミリ波帯等の高周波伝送線路に介在されるワイヤボンディング長を短くし、その部分の寄生インダクタンスの影響による信号品質の劣化を抑制するとともに、放熱性を高めること。【解決手段】半導体装置10は、半導体素子(チップ)30が配線基板20に形成されたキャビティ27内にその底面との間に接着材料33を介在させて搭載され、チップの電極端子31がキャビティ周囲の基板上に形成された配線部分22a,22bにワイヤ32を介して接続された構造を有する。チップ30は、配線部分のうち他の配線に比べて高周波用の配線22aが形成されている領域に近い側のキャビティの側壁27aに密着して搭載され、チップ30を密着させた側のキャビティの底面27eに凹部28が設けられ、さらにこの凹部の底面から基板外部に繋がるサーマルビア29が設けられている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体素子が配線基板に形成されたキャビティ内にその底面との間に接着材料を介在させて搭載されるとともに、前記半導体素子の電極端子が前記キャビティの周囲の基板上に形成された配線部分にワイヤを介して接続された構造を有する半導体装置において、前記半導体素子が、前記配線部分のうち他の配線に比べて高周波用の配線が形成されている領域に近い側の前記キャビティの側壁に密着して搭載され、前記半導体素子を密着させた側の前記キャビティの底面に、該底面から基板外部に繋がる放熱構造が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/40 , H01L 23/12 , H01L 21/60

FI (3件)：

H01L23/40 A , H01L23/12 J , H01L21/60 301A

Fターム (6件)：

5F044AA05 , 5F044JJ00 , 5F044JJ05 , 5F136DA31 , 5F136EA61 , 5F136EA62

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-175002 出願人：株式会社ルネサステクノロジ, 日立ハイブリッドネットワーク株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-086979 出願人：株式会社東芝
回路基板及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-396719 出願人：京セラ株式会社

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