特許
J-GLOBAL ID：201103042482492566
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-266299
公開番号（公開出願番号）：特開2002-141485
特許番号：特許第3813476号
出願日： 2001年09月03日
公開日（公表日）： 2002年05月17日
請求項（抜粋）：
【請求項1】半導体基板に形成された第1の不純物領域及び第2の不純物領域と該半導体基板上に形成されたゲート電極とを有するトランジスタと、
前記トランジスタを覆う第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜の上に形成され、強誘電体材料と高誘電体材料のいずれかよりなる誘電体膜とこれを挟む上部電極及び下部電極とを有するキャパシタと、
前記キャパシタの上に形成された第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜の上に形成され、前記キャパシタの前記上部電極と前記第1の不純物領域とを接続する局所配線と、
前記局所配線と前記第2の絶縁膜の上に形成された第3の絶縁膜と、
前記第3の絶縁膜の上に形成され、且つ前記第1、第2及び第3の絶縁膜に形成されたホールを通して前記第2の不純物領域に接続される第1の配線と、
前記第1の配線の上にTEOSガスと酸素ガスとを使用するプラズマCVD法により形成され、且つ研磨により平坦化された上面がプラズマアニールにより脱水処理されている第4の絶縁膜と、
前記第4の絶縁膜上に形成された第2の配線と
を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 27/105 ( 200 6.01)
, H01L 21/8246 ( 200 6.01)
, H01L 27/108 ( 200 6.01)
, H01L 21/8242 ( 200 6.01)
, H01L 23/522 ( 200 6.01)
, H01L 21/768 ( 200 6.01)
H01L 27/10 444 B
, H01L 27/10 621 Z
, H01L 27/10 651
, H01L 21/90 M
