特許

J-GLOBAL ID：201103043714080282

新規スルホニウム塩、高分子化合物、高分子化合物の製造方法、レジスト材料及びパターン形成方法

発明者： 大橋 正樹 ,  渡邉 聡 ,  大澤 洋一 ,  増永 恵一 ,  金生 剛
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-021078
公開番号（公開出願番号）：特開2011-157313
出願日： 2010年02月02日
公開日（公表日）： 2011年08月18日
要約：

【課題】本発明は、高エネルギー線を光源としたフォトリソグラフィーにおいて、レジスト材料として用いることのできるスルホニウム塩、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法を提供する。【解決手段】式(1)で示されるスルホニウム塩。(式中、X、Yは重合性官能基を有する基を示す。Zはヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数1〜33の二価の炭化水素基を示す。R1はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数1〜36の二価の炭化水素基を示す。R2及びR3はそれぞれヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数1〜30の一価の炭化水素基を示すか、あるいはR2及びR3が相互に結合して式中の硫黄原子と共に環を形成してもよい。)【選択図】図1

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で示されるスルホニウム塩。

IPC (9件)：

C07C 381/12 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/38 ,  H01L 21/027 ,  C08F 20/38 ,  C08F 8/00 ,  C08L 33/14 ,  C07C 309/12

FI (11件)：

C07C381/12 ,  G03F7/004 503A ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/004 501 ,  G03F7/004 504 ,  G03F7/38 501 ,  H01L21/30 502R ,  C08F20/38 ,  C08F8/00 ,  C08L33/14 ,  C07C309/12

Fターム (94件)：

2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096DA10 ,  2H096EA05 ,  2H096EA06 ,  2H096EA07 ,  2H125AF15P ,  2H125AF17P ,  2H125AF34P ,  2H125AF38P ,  2H125AF70P ,  2H125AH05 ,  2H125AH06 ,  2H125AH11 ,  2H125AH16 ,  2H125AH19 ,  2H125AH29 ,  2H125AJ04X ,  2H125AJ04Y ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ42X ,  2H125AJ42Y ,  2H125AJ48X ,  2H125AJ48Y ,  2H125AJ55X ,  2H125AJ58X ,  2H125AJ59X ,  2H125AJ60X ,  2H125AJ60Y ,  2H125AL02 ,  2H125AL11 ,  2H125AM66P ,  2H125AM99P ,  2H125AN38P ,  2H125AN39P ,  2H125AN42P ,  2H125AN51P ,  2H125AN57P ,  2H125AN88P ,  2H125BA01P ,  2H125BA02P ,  2H125BA26P ,  2H125BA32P ,  2H125CA08 ,  2H125CA12 ,  2H125CB09 ,  2H125CB12 ,  2H125CB16 ,  2H125CC03 ,  2H125CC15 ,  4H006AA01 ,  4H006AA03 ,  4H006AB81 ,  4H006TN30 ,  4H006TN60 ,  4J002BG07W ,  4J002BG07X ,  4J002BG08X ,  4J002GP03 ,  4J100AB07S ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL66P ,  4J100AR09S ,  4J100AR10S ,  4J100BA02P ,  4J100BA03R ,  4J100BA03S ,  4J100BA04S ,  4J100BA11R ,  4J100BA15R ,  4J100BA20R ,  4J100BA22S ,  4J100BA50P ,  4J100BA56P ,  4J100BA56Q ,  4J100BB07R ,  4J100BB12P ,  4J100BB12Q ,  4J100BB18P ,  4J100BB18Q ,  4J100BC03R ,  4J100BC07S ,  4J100BC09R ,  4J100BC15R ,  4J100BC43P ,  4J100BC43R ,  4J100BC53R ,  4J100BC58Q ,  4J100CA31 ,  4J100HA53 ,  4J100HA55 ,  4J100JA38

引用特許：

審査官引用 (8件)

• スルホニウム塩の繰り返し単位を含有する高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-056093   出願人：信越化学工業株式会社
• 特表平3-501970
  
• 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに該組成物を用いたレジスト膜及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-049872   出願人：富士フイルム株式会社
• 酸発生剤用の塩及びレジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-120685   出願人：住友化学株式会社
• 塩、酸発生剤、重合体及びフォトレジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-155693   出願人：住友化学株式会社
• レジスト組成物の酸発生剤用の塩
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-141239   出願人：住友化学株式会社
• レジスト組成物、レジストパターン形成方法、新規な化合物および酸発生剤
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-270085   出願人：東京応化工業株式会社
• ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-122566   出願人：東京応化工業株式会社