特許
J-GLOBAL ID：201103044955555725
強誘電体記憶素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人共生国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-348525
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216350
特許番号：特許第3975292号
出願日： 1999年12月08日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 強誘電体記憶素子の製造方法において、トランジスタの形成された半導体基板の上に第1層間絶縁膜を形成する段階、
前記第1層間絶縁膜の上にキャパシタの下部電極を形成する第1電導膜及び強誘電体膜を形成する段階、
及び前記強誘電体膜の上に、内部に酸素を含むPt膜を多層構造で形成してキャパシタの上部電極を形成する段階を含み、
前記Pt膜上にTiN膜を形成し、前記TiN膜を選択的にエッチングして上部電極を定義するTiN膜パターンを形成される段階、
前記TiN膜パターンをエッチングマスクとし、前記Pt膜をエッチングして上部電極を形成する段階、
及び、
前記強誘電体膜及び前記第1電導膜を選択的にエッチングして強誘電体膜パターン及び下部電極を形成する段階を含み、
前記TiN膜パターンを酸素雰囲気下で熱処理する段階、
前記TiN膜パターン、前記上部電極、前記強誘電体パターン及び前記下部電極のそれぞれの側壁と前記TiN膜パターンの上部を囲む保護酸化膜を形成する段階、
前記全体構造の上に第2層間絶縁膜を形成する段階、
前記第2層間絶縁膜、前記TiN膜パターン及び前記保護酸化膜を選択的にエッチングして前記上部電極を露出させる第1コンタクトホールと、前記第2層間絶縁膜、前記保護酸化膜、前記第1層間絶縁膜を選択的にエッチングして前記トランジスタの活性領域を露出させる第2コンタクトホールとを形成する段階、
及び、前記第1コンタクトホール及び前記第2コンタクトホールを介して前記トランジスタの活性領域と前記キャパシタを連結する金属配線を形成する段階をさらに含むことを特徴とする強誘電体記憶素子の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 21/8246 ( 200 6.01)
, H01L 27/105 ( 200 6.01)
, H01L 21/28 ( 200 6.01)
, H01L 21/768 ( 200 6.01)
, H01L 21/8242 ( 200 6.01)
, H01L 27/108 ( 200 6.01)
H01L 27/10 444 C
, H01L 21/28 301 R
, H01L 21/90 A
, H01L 27/10 651
出願人引用 (13件)
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審査官引用 (6件)
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