特許
J-GLOBAL ID：201103045204087480
セルアレー領域内にバルクバイアスコンタクト構造を備える不揮発性メモリ素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
服部 雅紀
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-260509
公開番号（公開出願番号）：特開2001-110920
特許番号：特許第4463954号
出願日： 2000年08月30日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板上に相互平行した複数本のビットラインと相互平行した複数本のワードラインとが直交して、前記ビットラインと前記ワードラインとに連結され、フローティングゲートとコントロールゲートとからなった積層ゲートとソース/ドレーン領域とを各々備える複数個のメモリセル及び前記ビットラインと平行した共通ソースラインを含むセルアレー領域と前記セルアレー領域の前記メモリセルを駆動するための周辺回路領域を備える不揮発性メモリ素子において、
前記セルアレー領域が形成されているバルク領域の電圧を一定電圧以下に維持するための少なくとも一つ以上のバルクバイアスコンタクト構造を前記セルアレー領域内に備え、
前記セルアレー領域にはダミーセル及びこれらを連結する少なくとも一本以上のダミービットラインをさらに含み、
少なくとも一本以上の前記ダミービットラインは、前記バルクバイアスコンタクト構造と連結されてバルクバイアスラインとして機能し、
前記バルクバイアスコンタクト構造は、前記ダミーセルのソース領域およびドレーン領域に形成されたジャンクションであって、前記セルアレー領域が形成されている前記バルク領域の導電型と同一な導電型の不純物でドーピングされたバルクバイアスジャンクションとのコンタクト構造であることを特徴とする不揮発性メモリ素子。
IPC (5件)：
H01L 21/8247 ( 200 6.01)
, H01L 27/115 ( 200 6.01)
, H01L 29/788 ( 200 6.01)
, H01L 29/792 ( 200 6.01)
, H01L 27/10 ( 200 6.01)
H01L 27/10 434
, H01L 29/78 371
, H01L 27/10 481
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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