特許
J-GLOBAL ID：201103046701041058
プラズマ処理方法及び装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
岩橋 文雄
, 内藤 浩樹
, 永野 大介
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-306144
公開番号（公開出願番号）：特開2002-203843
特許番号：特許第3814510号
出願日： 2001年10月02日
公開日（公表日）： 2002年07月19日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 真空容器内にガスを供給しつつ排気し、前記真空容器内を所定の圧力に制御しながら、前記真空容器内の基板電極に対向して設けられたアンテナに高周波電力を印加することにより、真空容器内にプラズマを発生させ基板を処理するプラズマ処理方法であって、前記真空容器の内壁面をインナチャンバで覆い、前記インナチャンバは前記インナチャンバに設けられた開口部よりも下側で前記真空容器を介して接地され、前記基板電極の前記アンテナ側表面より下側にパンチングメタルまたは導体メッシュが配置され、かつ、このパンチングメタルまたは導体メッシュのパンチング穴ピッチまたはメッシュピッチをp,アンテナに印加する高周波電力の周波数をf,光速をcとしたとき、p<0.002×c/fなる関係式を満たすようにpを設定することを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3065 ( 200 6.01)
, B01J 19/08 ( 200 6.01)
, H05H 1/46 ( 200 6.01)
H01L 21/302 101 M
, B01J 19/08 H
, H05H 1/46 B
, H05H 1/46 L
