特許
J-GLOBAL ID：201103048624200469

半導体装置及びその製造方法

発明者：
奥島 基嗣

奥島 基嗣 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-005535
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208525
特許番号：特許第3293792号
出願日： 1999年01月12日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 金属配線が埋め込まれた第1の絶縁膜上に形成された第2の絶縁膜と、この第2の絶縁膜を貫通し、前記金属配線と電気接続するコンタクトプラグとを有する半導体装置であって、前記金属配線が、第1の絶縁膜の上表面より下方に後退して形成され、この後退した部分にのみエッチング停止機能を有する膜が形成されており、前記エッチング停止機能を有する膜が、非導電性膜である場合は、前記コンタクトプラグが、前記エッチング停止機能を有する膜を貫通し、前記金属配線と電気接続し、前記エッチング停止機能を有する膜が、導電性膜である場合は、前記コンタクトプラグが、前記エッチング停止機能を有する膜を介して、前記金属配線と電気接続しており、前記金属配線以外の面を通して前記第2の絶縁膜の下層への水素拡散経路が確保されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 21/324 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/768 ,  H01L 29/78
FI (6件)：
H01L 21/324 Z ,  H01L 21/318 B ,  H01L 21/318 C ,  H01L 21/88 K ,  H01L 21/90 K ,  H01L 29/78 301 Y
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (1件)

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