特許
J-GLOBAL ID：201103052021454412
Cu導電膜を備えたバリアメタル積層膜構造体およびその積層膜の形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
清水 善廣
, 阿部 伸一
, 辻田 幸史
, 田代 作男
, 町田 悦夫
, 打揚 洋次
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-094081
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284356
特許番号：特許第4421061号
出願日： 2000年03月30日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板上に設けられたアモルファス状のタンタル・シリコン窒化物膜(ただし、シリコン含有量は5〜30at%である)と、その表面上に設けられた、シリコン含有量が徐々に減少した傾斜膜であるアモルファス状のタンタル・シリコン窒化物と、その表面上に設けられた、アモルファス状のタンタル窒化物と、その上に成膜されたCu導電膜とからなるCu導電膜を備えたバリアメタル積層膜構造体。
IPC (4件)：
H01L 21/3205 ( 200 6.01)
, H01L 23/52 ( 200 6.01)
, H01L 21/285 ( 200 6.01)
, H01L 21/768 ( 200 6.01)
H01L 21/88 R
, H01L 21/285 C
, H01L 21/90 C
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (2件)
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