特許
J-GLOBAL ID:201103054807994936
検査装置並びに欠陥分類方法及び欠陥検出方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
大山 健次郎
, 小山 有
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-078511
公開番号(公開出願番号):特開2011-211035
出願日: 2010年03月30日
公開日(公表日): 2011年10月20日
要約:
【課題】SiC基板及びエピタキシャル層に形成されたマイクロパイプ欠陥及び基底面内欠陥を高精度に検出でき、他の欠陥から区別できる検査装置を実現する。【解決手段】本発明では、微分干渉光学系を含む共焦点走査装置を用いて、SiC基板表面又はエピタキシャル層表面の共焦点微分干渉画像を撮像する。共焦点微分干渉画像は、試料表面の数nm程度の凹凸変化を輝度分布として表すので、SiC基板表面又はエピタキシャル層表面に出現した結晶欠陥を、輝度分布に基づいて検出することができる。欠陥の種類に応じて、輝度分布が相違するので、欠陥画像の形状及び輝度分布の観点より欠陥を分類する。特に、本発明による分類方法を用いることにより、マイクロパイプ欠陥及び基底面内欠陥を他の欠陥から区別することが可能である。【選択図】図2
請求項(抜粋):
単結晶基板又はエピタキシャル層が形成された単結晶基板について欠陥検査を行う検査装置であって、
照明ビームを発生する光源と、検査すべき単結晶基板を支持すると共にX方向及びX方向と直交するY方向に移動可能なステージと、前記照明ビームを、集束した光ビームとしてステージ上に配置した単結晶基板に向けて投射する対物レンズと、前記対物レンズとステージ上の単結晶基板との間の光軸方向の相対距離を変化させる手段と、規制された光入射面を有し、前記単結晶基板の表面で反射した反射光を受光する光検出手段とを有する共焦点走査装置、
前記共焦点走査装置の対物レンズと光検出手段との間の光路中に選択的に配置され、入射した照明ビームを、互いに干渉性を有する第1及び第2のサブビームに変換すると共に、前記単結晶基板の表面で反射したサブビーム同士を合成し、単結晶基板の表面高さと関連する位相差情報を含む干渉ビームを出射させる微分干渉光学系、及び、
前記光検出手段から出力される輝度信号を受け取り、前記単結晶基板表面の共焦点微分干渉画像を形成する手段と、形成された共焦点微分干渉画像に基づいて欠陥検出を行う欠陥検出手段とを有する信号処理装置を具えることを特徴とする検査装置。
IPC (5件):
H01L 21/66
, G01N 21/956
, G01B 11/24
, G01B 11/30
, G01B 11/00
FI (6件):
H01L21/66 N
, G01N21/956 A
, G01B11/24 K
, G01B11/30 A
, G01B11/00 H
, G01B11/24 D
Fターム (48件):
2F065AA03
, 2F065AA20
, 2F065AA49
, 2F065AA53
, 2F065CC19
, 2F065FF10
, 2F065FF51
, 2F065HH04
, 2F065JJ02
, 2F065JJ25
, 2F065LL04
, 2F065LL13
, 2F065LL33
, 2F065LL34
, 2F065LL47
, 2F065LL62
, 2F065MM16
, 2F065PP24
, 2F065QQ03
, 2F065QQ23
, 2F065QQ24
, 2F065QQ29
, 2F065SS02
, 2F065SS13
, 2G051AA51
, 2G051AB07
, 2G051BA04
, 2G051BA10
, 2G051BB09
, 2G051BB11
, 2G051BB17
, 2G051BC06
, 2G051CA03
, 2G051CB01
, 2G051CB10
, 2G051CC09
, 2G051CC13
, 2G051CD04
, 2G051DA07
, 2G051EA16
, 2G051EC01
, 4M106AA01
, 4M106AA10
, 4M106BA04
, 4M106CB19
, 4M106DH12
, 4M106DJ13
, 4M106DJ20
引用特許:
出願人引用 (2件)
審査官引用 (12件)
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引用文献:
審査官引用 (1件)
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新製品:SiCウェハ欠陥検査レビュー装置「WASAVIシリーズ SICA61」を発表
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