特許
J-GLOBAL ID：201103057303976642
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
玉村 静世
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-270013
公開番号（公開出願番号）：特開2003-076615
特許番号：特許第4034949号
出願日： 2001年09月06日
公開日（公表日）： 2003年03月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 コントローラと不揮発性メモリとエラー訂正回路とを有し、
上記コントローラは外部から受信したデータを、第1アドレスを指定して上記不揮発性メモリに格納指示し、上記不揮発性メモリは、上記コントローラからの格納指示に応じたデータの格納動作においてデータの格納エラーが生じた場合、格納したデータを読み出し、
上記エラー訂正回路は、読み出されたデータが訂正可能か否かを判定し、訂正可能である場合は格納完了を上記コントローラに通知し、訂正不可能である場合は格納失敗を上記コントローラに通知し、
上記コントローラは、上記格納失敗の通知に応じて上記データを格納すべき第2アドレスを指定して上記データを格納指示する不揮発性半導体記憶装置であって、
上記コントローラは、上記エラー訂正回路による訂正が可能な場合に、該エラー訂正回路によるデータの訂正ビット数を判定し、該訂正ビット数がn(正の整数)よりも少ない場合は格納完了とし、上記訂正ビット数がnよりも多くm(nより大きい正の整数)よりも少ない場合は上記不揮発性メモリから上記第1アドレスのデータを読み出して上記エラー訂正回路による訂正を施してからそのデータを上記不揮発性メモリの上記第1アドレスに格納する処理を行なうことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (3件)：
G06F 12/16 ( 200 6.01)
, G11C 16/06 ( 200 6.01)
, G11C 29/42 ( 200 6.01)
G06F 12/16 310 P
, G06F 12/16 320 F
, G06F 12/16 320 M
, G11C 17/00 639 C
, G11C 29/00 631 Q
