薄膜半導体素子の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井上学
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-295425
公開番号（公開出願番号）：特開2002-100568
特許番号：特許第4045731号
出願日： 2000年09月25日
公開日（公表日）： 2002年04月05日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板の上方に非晶質半導体薄膜を成膜する工程と、該非晶質半導体薄膜の表面に設けた酸化膜の膜厚を0.1nm以上0.4nm以下の範囲に制御する工程と、レーザ光を前記酸化膜を介して前記非晶質半導体薄膜に照射して加熱する工程を備え、前記レーザ光を用いて前記非晶質半導体薄膜の少なくとも一部の領域を結晶化することを特徴とする薄膜半導体素子の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ( 200 6.01) , H01L 21/316 ( 200 6.01) , H01L 21/336 ( 200 6.01) , H01L 29/786 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 21/20 , H01L 21/316 U , H01L 29/78 627 G

引用特許：

出願人引用 (4件)

シリコンの洗浄方法および洗浄装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-187326 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-123092 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
多結晶半導体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-155889 出願人：株式会社東芝

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審査官引用 (8件)

半導体材料
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-305552 出願人：ソニー株式会社
多結晶半導体薄膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-095223 出願人：日本電気株式会社
特開平2-148831

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