特許
J-GLOBAL ID：201103060464043914

裏面照射型撮像素子および撮像装置

発明者：
日下 洋介

日下 洋介 について


出願人/特許権者：
株式会社ニコン

株式会社ニコン について


代理人 (2件)： 永井 冬紀 ,  渡辺 隆男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-040378
公開番号（公開出願番号）：特開2011-176715
出願日： 2010年02月25日
公開日（公表日）： 2011年09月08日
要約：
【課題】結像光学系の絞りF値と裏面照射型撮像素子が出力する信号レベルとの線形性を維持する。【解決手段】裏面照射型撮像素子の撮像画素310においては、オンチップレンズ10により、遮光膜30が配置された面は撮像素子上に像を形成する結像光学系の射出瞳面の共役面となっており、単結晶シリコン層401の裏面側のオンチップレンズ10に入射した光は色フィルタ9を通過し、遮光膜30が配置された面で一旦焦点を結ぶ。遮光膜30上の開口11で制限された光が最終的に光電変換素子404に導かれる。射出瞳面上の絞り開口面積に比例した光量の光を撮像画素が受光することができ、露出制御の線形性を向上させることができる。【選択図】図9
請求項（抜粋）：
結像光学系を通過して半導体基板の裏面側に入射した入射光を前記半導体基板内に形成された複数の光電変換素子が受光して電気信号を生成し、前記電気信号を前記半導体基板の表面側に形成した読み出し回路から出力して撮像を行う裏面照射型撮像素子であって、 前記複数の光電変換素子の前記入射光の入射側に形成され、前記複数の光電変換素子の各々に対応して開口が形成された遮光膜と、 前記遮光膜より所定距離離れた位置に、前記複数の光電変換素子の各々に対応して形成されたオンチップレンズとを備え、 前記遮光膜と前記結像光学系の射出瞳面とが、前記オンチップレンズによって共役関係となっていることを特徴とする裏面照射型撮像素子。
IPC (2件)：
H04N 5/335 ,  H01L 27/14
FI (2件)：
H04N5/335 U ,  H01L27/14 D
Fターム (26件)：
4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CA18 ,  4M118DD04 ,  4M118DD12 ,  4M118FA25 ,  4M118FA26 ,  4M118FA33 ,  4M118GA02 ,  4M118GA08 ,  4M118GB04 ,  4M118GB07 ,  4M118GB11 ,  4M118GB18 ,  4M118GC07 ,  4M118GC08 ,  4M118GC14 ,  4M118GD03 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  5C024DX01 ,  5C024EX43 ,  5C024EX52 ,  5C024GX24 ,  5C024GY31
引用特許：
審査官引用 (13件)
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