シリコン基板を用いたZnO系化合物半導体発光素子およびその製法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (3件)：朝日奈宗太 , 朝日奈宗太 , 河村洌
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-211222
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044499
特許番号：特許第4425376号
出願日： 1999年07月26日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
請求項（抜粋）：

【請求項1】シリコン基板と、該シリコン基板の表面に設けられるシリコンチッ化膜と、該シリコンチッ化膜上に設けられ、ZnO系化合物半導体からなるn形層およびp形層を少なくとも有し、発光層を形成すべく積層される半導体積層部とを含み、前記シリコンチッ化膜が、前記シリコン基板上に直接設けられ、かつ、該シリコンチッ化膜の表面をRHEED法により観察した場合に点状の像が現れるように形成されてなるシリコン基板を用いたZnO系化合物半導体発光素子。

IPC (1件)：