セラミック回路基板

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-302950
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127384
特許番号：特許第4191860号
出願日： 1999年10月25日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
請求項（抜粋）：

【請求項1】セラミック基板の上面に該セラミック基板よりも熱膨張係数の大きい金属から成る金属回路板を接合したセラミック回路基板であって、前記セラミック基板の上面より該セラミック基板の厚みの1/3以内内側の距離Aの位置に、電気的に独立したメタライズ層を配設し、該メタライズ層の外周を、前記金属回路板の外周より距離A小さい領域よりも大きく、かつ前記金属回路板の外周よりも小さくしたセラミック回路基板。

IPC (1件)：