特許
J-GLOBAL ID：201103067913651554
ヘテロ接合トランジスタ、及びヘテロ接合トランジスタを作製する方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
長谷川 芳樹
, 寺崎 史朗
, 黒木 義樹
, 近藤 伊知良
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-228859
公開番号（公開出願番号）：特開2011-077400
出願日： 2009年09月30日
公開日（公表日）： 2011年04月14日
要約：
【課題】チャネル層内の抵抗の不均一を避けることを可能にする構造を有するヘテロ接合トランジスタを提供する。【解決手段】半導体積層15が、半極性を示すIII族窒化物主面13a上に設けられ、半導体積層15が主面13aに到達する開口16を有する。開口16の側面16aは、III族窒化物半導体のa面に対して大きな角度を成すと共にIII族窒化物半導体のm面に対しても大きな角度を成して、III族窒化物半導体のc面に非常に近い面から構成される。開口16の側面16aの傾斜角は、m面やa面よりもc面に近い。この開口16の側面16aにドリフト層17及びチャネル層19が成長されるので、その成長中に不可避的に取り込まれる不純物量を小さくできる。これ故に、ドリフト層17及びチャネル層19における抵抗の不均一を避けることができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ヘテロ接合トランジスタであって、
半極性を示すIII族窒化物主面を有する導電性基板と、
前記導電性基板の前記主面に到達する開口を有する半導体積層と、
前記半導体積層の前記開口内及び前記導電性基板の前記主面上に設けられ窒化ガリウム系半導体からなるドリフト層と、
前記半導体積層の前記開口内に設けられ窒化ガリウム系半導体からなるチャネル半導体層と、
前記半導体積層の前記開口内の前記チャネル半導体層上に設けられたバリア層と、
前記バリア層上に設けられたゲート電極と
を備え、
前記半導体積層は、前記導電性基板の前記主面上に設けられた第1導電型窒化ガリウム系半導体層、前記導電性基板と前記第1導電型窒化ガリウム系半導体層との間に設けられた第2導電型窒化ガリウム系半導体層、及び前記導電性基板と前記第2導電型窒化ガリウム系半導体層との間に設けられ絶縁のための窒化ガリウム系半導体層を含み、
前記第1導電型窒化ガリウム系半導体層は、前記半導体積層の前記開口の側面に位置する端面を有し、
前記第2導電型窒化ガリウム系半導体層は、前記半導体積層の前記開口の側面に位置する端面を有し、
前記絶縁のための窒化ガリウム系半導体層は、前記半導体積層の前記開口の前記側面に到達する端面を有し、
前記チャネル層は、前記第1導電型窒化ガリウム系半導体層の前記端面及び前記第2導電型窒化ガリウム系半導体層の前記端面上に設けられ、
前記ドリフト層は、前記絶縁のための窒化ガリウム系半導体層の前記端面上に設けられ、
前記開口の前記側面は、前記III族窒化物半導体のa面に対して第1の角度を成し、前記III族窒化物半導体のm面に対して第2の角度を成すと共に前記III族窒化物半導体のc面に対して第3の角度を成し、
前記第3の角度は前記第1の角度よりも小さく、
前記第3の角度は前記第2の角度よりも小さい、ことを特徴とするヘテロ接合トランジスタ。
IPC (4件)：
H01L 29/812
, H01L 29/778
, H01L 21/338
, H01L 29/80
H01L29/80 H
, H01L29/80 V
5F102FA00
, 5F102GB05
, 5F102GC07
, 5F102GD01
, 5F102GJ04
, 5F102GL04
, 5F102GM04
, 5F102GQ01
, 5F102GR01
, 5F102HC00
, 5F102HC01
, 5F102HC15
