特許
J-GLOBAL ID：201103067987710706
発光素子の製造方法及び発光装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
逢坂 宏
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-312232
公開番号（公開出願番号）：特開2003-124513
特許番号：特許第4214444号
出願日： 2001年10月10日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 開口部を有するマスク層を結晶性基体上に形成する工程と、前記開口部に素子剥離促進処理を施す工程と、この処理領域上にガリウム系化合物半導体からなる発光素子構成材料を結晶成長させる工程と、これによって得られた結晶層を前記処理領域上にて剥離する工程とを有する、発光素子の製造方法であって、
前記結晶性基体上に、前記結晶層の結晶成長時のシードとなるガリウム系化合物半導体からなる下地層を形成し、
この下地層上に前記マスク層を形成した後に、加熱処理によって前記マスク層の前記開口部内に露出した前記下地層の表面域にボイドを発生させ、
しかる後に、前記下地層のボイド発生域上に、前記発光素子構成材料を結晶成長させて前記結晶層を形成し、
しかる後に、前記ボイド発生域にレーザ光を照射し、このレーザ光の衝撃波によって前記結晶層と前記下地層との界面にて前記結晶層を前記下地層及び前記マスク層から剥離する
ことを特徴とする、発光素子の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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