バリア膜製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：石島茂男 , 阿部英樹
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-192026
公開番号（公開出願番号）：特開2001-023930
特許番号：特許第3938450号
出願日： 1999年07月06日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
請求項（抜粋）：

【請求項1】化学構造中に高融点金属を有する原料ガスと、窒素原子を有する含窒素還元ガスとを真空雰囲気中に導入し前記真空雰囲気中に置かれた基板上に前記高融点金属の窒化物薄膜を形成するバリア膜製造方法であって、前記真空雰囲気中に、窒素原子を有さない補助還元ガスを、前記原料ガスの流量に対し、1倍以上15倍以下の流量で導入し、シリコン原子を含まないバリア膜を形成することを特徴とするバリア膜製造方法。

IPC (2件)：